一种高纯多孔硅制备的方法

公开(公告)号: 
CN114988413A
申请号: 
CN202210479333.1
申请日: 
2022-05-05
发明人: 
赵丽萍
席风硕
李绍元
马文会
金小涵
李祖宇
项东飞
公开日期: 
2022-09-02
所属会员单位: 
昆明理工大学
专利类型: 
发明公布