一种高硅氧化铜矿深度分离与富集铜的方法

公开(公告)号: 
CN114015864A
申请号: 
CN202111303786.0
申请日: 
2021-11-05
发明人: 
郑永兴
黄宇松
吕晋芳
宁继来
公开日期: 
2022-02-08
所属会员单位: 
昆明理工大学
专利类型: 
发明公布