一种高密度纳米尺寸单层二硒化钼岛的制备方法

公开(公告)号: 
CN113789498A
申请号: 
CN202111129762.8
申请日: 
2021-09-26
发明人: 
卢建臣
牛格非
公开日期: 
2021-12-14
所属会员单位: 
昆明理工大学
专利类型: 
发明公布