一种用于金刚石膜抛光的等离子体刻蚀法及其产品

公开(公告)号: 
CN113529050A
申请号: 
CN202110757175.7
申请日: 
2021-07-05
发明人: 
高冀芸
刘晨辉
王访
杨黎
郭胜惠
冯曙光
公开日期: 
2021-10-22
所属会员单位: 
昆明理工大学
专利类型: 
发明公布