一种基于应力发光材料的可重复记忆型应力薄膜的制备方法

公开(公告)号: 
CN113087946B
申请号: 
CN202110371849.X
申请日: 
2021-04-07
发明人: 
徐旭辉
吕鸿宇
刘志超
吴涛
余雪
邱建备
公开日期: 
2021-12-14
所属会员单位: 
昆明理工大学
专利类型: 
发明授权