孔隙型贵金属基膜电极及其制备方法和应用

公开(公告)号: 
CN112760598A
申请号: 
CN202011603311.9
申请日: 
2020-12-30
发明人: 
杨滨
方留党
蔡佳贤
封赟昊
李旭东
公开日期: 
2021-05-07
所属会员单位: 
昆明理工大学
专利类型: 
发明公布