一种真空电化学沉积制备硒化物半导体的方法

公开(公告)号: 
CN112144086B
申请号: 
CN202011014076.1
申请日: 
2020-09-24
发明人: 
戴永年
刘国豪
杨佳
张君
钱春旭
徐宝强
杨斌
李绍元
曲涛
万贺利
马文会
李一夫
田阳
蒋文龙
熊恒
刘大春
公开日期: 
2021-12-14
所属会员单位: 
昆明理工大学
专利类型: 
发明授权