一种硅片切割废料微负压下熔炼的方法

公开(公告)号: 
CN111792647B
申请号: 
CN202010705503.4
申请日: 
2020-07-21
发明人: 
魏奎先
杨时聪
马文会
万小涵
李绍元
伍继君
公开日期: 
2021-09-10
所属会员单位: 
昆明理工大学
专利类型: 
发明授权