一种基于绝缘体上硅的低应力硅基厚膜及其制备方法

发布于 2023-02-22 09:28

公开（公告）号: 

CN111747377A

申请号: 

CN202010705386.1

申请日: 

2020-07-21

发明人: 

方青

胡鹤鸣

邵瑶

张馨丹

顾苗苗

陈华

陈晓峰

公开日期: 

2020-10-09

所属会员单位: 

昆明理工大学

专利类型: 

发明公布

法律状态: 

实质审查